当前位置:首页 > 科技信息 > 专利 > 高硅菱镁矿合成MgAl2O4/MgO-SiC-C质耐火材料及制备方法

高硅菱镁矿合成MgAl2O4/MgO-SiC-C质耐火材料及制备方法

  • 发布人:管理员
  • 发布时间:2013-04-26
  • 浏览量:724
【字体:
申请专利号:CN201110277146.7
 
本发明具体涉及一种高硅菱镁矿合成MgAl2O4/MgO-SiC-C质耐火材料及其制备方法。本发明采用的技术方案是:先以50~60wt%的高硅菱镁矿、5~15wt%的碳黑粉和30~40wt%的矾土料为原料混合,再外加所述原料1~10wt%的结合剂,混合5~60分钟,压制成型,在60~110℃的条件下干燥12~36小时;然后在保护性气氛和1500~1800℃×2~8小时的条件下烧结,自然冷却。本发明具有原料丰富、生产成本低和易于工业化生产的特点,所制备的高硅菱镁矿合成MgAl2O4/MgO-SiC-C质耐火材料性能优良和使用寿命长。本发明适用于有色金属和钢铁冶炼设备的新型炉衬材料,尤其适用于生产低碳钢和超低碳钢等洁净钢的钢包内衬与精炼炉衬,有利于钢铁质量的提高。
 
一种高硅菱镁矿合成MgAl2O4/MgO‑SiC‑C质耐火材料的制备方法,其特征在于先以50~60wt%的高硅菱镁矿、5~15wt%的碳黑粉和30~40wt%的矾土料为原料混合,再外加所述原料1~10wt%的结合剂,混合5~60分钟,压制成型,在60~110℃的条件下干燥12~36小时;然后在保护性气氛和1500~1800℃×2~8小时的条件下烧结,自然冷却。
 
  申请日:2011.09.19
  公开公告号:CN102432315A
  公开公告日:2012.05.02
  主分类号:C04B35/66(2006.01)I
  分类号:C04B35/66(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I
  申请专利权人:武汉科技大学
  地址:430081 湖北省武汉市青山区建设一路
  国省代码:湖北;42
  发明设计人:员文杰;邓承继;祝洪喜;李君;吕治江;段红娟
  专利代理机构:武汉开元知识产权代理有限公司 42104
代理人:樊戎
 
中国镁质材料网 采编:DY】

相关文章